MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines

Código RS:: 219-4227
Nº ref. fabric.:: SCTW40N120G2V
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

15,208 €

(exc. IVA)

18,402 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	15,208 €	456,24 €

*precio indicativo

Código RS:: 219-4227
Nº ref. fabric.:: SCTW40N120G2V
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTW40N120G2V

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	36 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	HiP247
Serie	SCTW40N
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,7 O
Tensión de umbral de puerta máxima	4.9V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines

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