MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 36 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
219-4227
Nº ref. fabric.:
SCTW40N120G2V
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

36A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTW40N

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

3.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.15 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.75mm

Altura

20.15mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja

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