MOSFET, N-Canal STMicroelectronics SCTW40N120G2V, VDSS 1.2 kV, ID 36 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 219-4227
- Nº ref. fabric.:
- SCTW40N120G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 219-4227
- Nº ref. fabric.:
- SCTW40N120G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCTW40N | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie SCTW40N | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacitancia de entrada y carga de puerta extremadamente baja
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