MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 233-3023
- Nº ref. fabric.:
- SCTW70N120G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 233-3023
- Nº ref. fabric.:
- SCTW70N120G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 91A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW70N | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 547W | |
| Tensión directa Vf | 2.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 91A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCTW70N | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 547W | ||
Tensión directa Vf 2.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha fabricado aprovechando las propiedades innovadoras de Advanced de materiales de salto de banda amplio. El resultado es una resistencia de conexión insuperable por área de unidad y un rendimiento de conmutación muy bueno casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material Sic permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja
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