MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

657,84 €

(exc. IVA)

795,99 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 240 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
30 +21,928 €657,84 €

*precio indicativo

Código RS:
239-5529
Nº ref. fabric.:
SCTW60N120G2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

73mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

94nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Disipación de potencia máxima Pd

389W

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

5mm

Certificaciones y estándares

UL

Longitud

34.8mm

Anchura

15.6 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta

Enlaces relacionados