MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines

Código RS:: 239-5529
Nº ref. fabric.:: SCTW60N120G2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines

270 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

45,039 €

(exc. IVA)

54,497 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	45,039 €	1.351,17 €

*precio indicativo

Código RS:: 239-5529
Nº ref. fabric.:: SCTW60N120G2
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTW60N120G2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	HiP247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3

MOSFET STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247 de 3 pines

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