MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines

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Código RS:
239-5529
Nº ref. fabric.:
SCTW60N120G2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCT

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

73mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

18 V

Disipación de potencia máxima Pd

389W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

94nC

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Longitud

34.8mm

Altura

5mm

Certificaciones y estándares

UL

Anchura

15.6 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta

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