MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTW60N120G2, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5530
- Nº ref. fabric.:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 239-5530
- Nº ref. fabric.:
- SCTW60N120G2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 73mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 389W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Longitud | 34.8mm | |
| Altura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Anchura | 15.6 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 389W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Longitud 34.8mm | ||
Altura 5mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Anchura 15.6 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión. Se puede utilizar en fuentes de alimentación de modo conmutado, convertidores dc-dc y control de motor industrial.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta
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