MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 907-4741
Nº ref. fabric.:: SCT30N120
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines, , config. Simple

4 Disponible para entrega en 3 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

21,63 €

(exc. IVA)

26,17 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 4	21,63 €
5 - 9	20,56 €
10 - 24	18,50 €
25 +	18,40 €

Código RS:: 907-4741
Nº ref. fabric.:: SCT30N120
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión nominal de 1200 V nominal, combinada con un excelente rendimiento de conmutación, lo que se traduce en unos sistemas más eficientes y compactos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	45 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	HiP247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	270 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-10 V, +25 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+200 °C
Longitud	15.75mm
Ancho	5.15mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	105 nC a 20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	20.15mm
Tensión de diodo directa	3.5V