MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines

Código RS:: 230-0093
Nº ref. fabric.:: SCTWA60N120G2-4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines

9 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (En un Tubo de 30)

24,314 €

(exc. IVA)

29,42 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Tubo*
30 +	24,314 €	729,42 €

*precio indicativo

Código RS:: 230-0093
Nº ref. fabric.:: SCTWA60N120G2-4
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTWA60N120G2-4

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El STMicroelectronics SCTWA60N es un dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio que se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET de SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada
Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Tipo de Encapsulado	HiP247-4
Serie	SCTW
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	5,2e+007 Ω
Tensión de umbral de puerta máxima	5V

MOSFET STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4, VDSS 1.200 V, ID 60 A, HiP247-4 de 4 pines

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