MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

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Código RS:
230-0093
Nº ref. fabric.:
SCTWA60N120G2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTW

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.1 mm

Altura

21.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.9mm

Estándar de automoción

No

El STMicroelectronics SCTWA60N es un dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio que se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET de SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

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