MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 60 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

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Código RS:
230-0093
Nº ref. fabric.:
SCTWA60N120G2-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTW

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

15.9mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

21.1mm

Anchura

5.1 mm

Estándar de automoción

No

El STMicroelectronics SCTWA60N es un dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio que se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET de SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

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