MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-7485
Nº ref. fabric.:
STP11NM60ND
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

FDmesh

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6 mm

Altura

15.75mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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