MOSFET STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
687-5263
Nº ref. fabric.:
STP12NK80Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

750 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

190000 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

87 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.4mm

Ancho

4.6mm

Altura

9.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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