MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-6691
Nº ref. fabric.:
STP12NK80Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Anchura

4.6 mm

Altura

9.15mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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