MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-6691
Nº ref. fabric.:
STP12NK80Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

SuperMESH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

87nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Anchura

4.6mm

Altura

9.15mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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