MOSFET, N-Canal Nexperia NSF030120L3A0Q, VDSS 1.2 kV, ID 48 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 219-450
- Nº ref. fabric.:
- NSF030120L3A0Q
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 219-450
- Nº ref. fabric.:
- NSF030120L3A0Q
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | NSF030120L3A0 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 113nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 306W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie NSF030120L3A0 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 113nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 306W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia SiC de Nexperia se suministra en un encapsulado de plástico compacto TO-247-3 de 3 contactos para montaje en orificio pasante en PCB. Su excelente estabilidad de temperatura RDS(on) y velocidad de conmutación rápida lo convierten en ideal para aplicaciones industriales de alta potencia y alta tensión, incluida la infraestructura de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y accionamientos de motores.
Rápida recuperación inversa
Velocidad de conmutación rápida
Pérdidas de conmutación de apagado independientes de la temperatura
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
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