MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia NSF030120L3A0Q, VDSS 1200 V, ID 48 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
219-449
Nº ref. fabric.:
NSF030120L3A0Q
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NSF030120L3A0

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

113nC

Disipación de potencia máxima Pd

306W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia SiC de Nexperia se suministra en un encapsulado de plástico compacto TO-247-3 de 3 contactos para montaje en orificio pasante en PCB. Su excelente estabilidad de temperatura RDS(on) y velocidad de conmutación rápida lo convierten en ideal para aplicaciones industriales de alta potencia y alta tensión, incluida la infraestructura de carga de vehículos eléctricos, inversores fotovoltaicos y accionamientos de motores.

Rápida recuperación inversa

Velocidad de conmutación rápida

Pérdidas de conmutación de apagado independientes de la temperatura

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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