MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
248-5819
Nº ref. fabric.:
NTHL060N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

NTH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

74nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor es un MOSFET de canal N con tensión de drenaje a fuente de 650 V y disipación de potencia de 176 W, encapsulado TO247-3L y este dispositivo no contiene haluros y es conforme con RoHS con exención 7a, sin plomo 2LI.

Carga de puerta ultrabaja 74 nC

Capacitancia baja 133 pF

Probado al 100 % para avalancha

Temperatura 175 °C

RDS(on) 44 mohm

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