MOSFET, N-Canal onsemi NTHL060N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 248-5820
- Nº ref. fabric.:
- NTHL060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 248-5820
- Nº ref. fabric.:
- NTHL060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 74nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 74nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor es un MOSFET de canal N con tensión de drenaje a fuente de 650 V y disipación de potencia de 176 W, encapsulado TO247-3L y este dispositivo no contiene haluros y es conforme con RoHS con exención 7a, sin plomo 2LI.
Carga de puerta ultrabaja 74 nC
Capacitancia baja 133 pF
Probado al 100 % para avalancha
Temperatura 175 °C
RDS(on) 44 mohm
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