MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL015N065SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 7 pines

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Código RS:
254-7675
Nº ref. fabric.:
NTHL015N065SC1
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTH

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

4.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

283nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


La serie NTH de ON Semiconductor de un mosfet de carburo de silicio utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, con baja resistencia de conexión y tamaño de chip compacto. Garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.

Se utiliza en inversores solares de alta temperatura de unión, alta velocidad de conmutación y baja capacitancia

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