MOSFET onsemi ECH8663R-TL-H, VDSS 30 V, ID 8 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

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Código RS:
163-2131
Nº ref. fabric.:
ECH8663R-TL-H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

ECH

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

28 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

1,4 W

Configuración de transistor

Drenaje común

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

2.3mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

2.9mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,3 nC a 4,5 V

Altura

0.9mm

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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