MOSFET onsemi ECH8663R-TL-H, VDSS 30 V, ID 8 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Código RS:: 163-2131
Nº ref. fabric.:: ECH8663R-TL-H
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi ECH8663R-TL-H, VDSS 30 V, ID 8 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,183 €

(exc. IVA)

0,221 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,183 €	549,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 163-2131
Nº ref. fabric.:: ECH8663R-TL-H
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	ECH
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	28 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.3V
Disipación de Potencia Máxima	1,4 W
Configuración de transistor	Drenaje común
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	2.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	12,3 nC a 4,5 V
Longitud	2.9mm
Altura	0.9mm

Código RS:: 163-2131
Nº ref. fabric.:: ECH8663R-TL-H
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi ECH8663R-TL-H, VDSS 30 V, ID 8 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Drenaje común

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N doble, ON Semiconductor

Enlaces relacionados