MOSFET onsemi EMH2604-TL-H, VDSS 20 V, ID 3 A, 4 A, EMH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
163-2139
Nº ref. fabric.:
EMH2604-TL-H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A, 4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

EMH

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

115 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

1,2 W

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-10 V, +10 V

Ancho

1.7mm

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,7 nC a 4,5 V

Altura

0.75mm

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor


El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.


Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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