MOSFET onsemi FDG6318P, VDSS 20 V, ID 500 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
166-2945
Nº ref. fabric.:
FDG6318P
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

500 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-70)

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Longitud

2mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,86 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

1.25mm

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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