MOSFET onsemi FDG6318P, VDSS 20 V, ID 500 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
166-2945
Nº ref. fabric.:
FDG6318P
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

500 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-70)

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

2mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,86 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

1.25mm

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

FET digitales, Fairchild Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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