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    MOSFET onsemi FDG6318P, VDSS 20 V, ID 500 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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    Código RS:
    166-2945
    Nº ref. fabric.:
    FDG6318P
    Fabricante:
    onsemi
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    Marca

    onsemi

    Tipo de Canal

    P

    Corriente Máxima Continua de Drenaje

    500 mA

    Tensión Máxima Drenador-Fuente

    20 V

    Tipo de Encapsulado

    SOT-363 (SC-70)

    Serie

    PowerTrench

    Tipo de Montaje

    Montaje superficial

    Conteo de Pines

    6

    Resistencia Máxima Drenador-Fuente

    1,2 Ω

    Modo de Canal

    Mejora

    Tensión de umbral de puerta mínima

    0.65V

    Disipación de Potencia Máxima

    300 mW

    Configuración de transistor

    Aislado

    Tensión Máxima Puerta-Fuente

    -12 V, +12 V

    Número de Elementos por Chip

    2

    Ancho

    1.25mm

    Carga Típica de Puerta @ Vgs

    0,86 nC a 4,5 V

    Temperatura Máxima de Funcionamiento

    +150 °C

    Longitud

    2mm

    Material del transistor

    Si

    Temperatura de Funcionamiento Mínima

    -55 °C

    Altura

    1mm

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