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    MOSFET onsemi FDG313N, VDSS 25 V, ID 950 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple

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    Código RS:
    146-2123
    Nº ref. fabric.:
    FDG313N
    Fabricante:
    onsemi
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    Marca

    onsemi

    Tipo de Canal

    N

    Corriente Máxima Continua de Drenaje

    950 mA

    Tensión Máxima Drenador-Fuente

    25 V

    Tipo de Encapsulado

    SOT-363 (SC-70)

    Serie

    PowerTrench

    Tipo de Montaje

    Montaje superficial

    Conteo de Pines

    6

    Resistencia Máxima Drenador-Fuente

    760 mΩ

    Modo de Canal

    Mejora

    Tensión de umbral de puerta mínima

    0.65V

    Disipación de Potencia Máxima

    750 mW

    Configuración de transistor

    Simple

    Tensión Máxima Puerta-Fuente

    -8 V, +8 V

    Carga Típica de Puerta @ Vgs

    1,64 nC a 4,5 V

    Longitud

    2mm

    Material del transistor

    Si

    Temperatura Máxima de Funcionamiento

    +150 °C

    Ancho

    1.25mm

    Número de Elementos por Chip

    1

    Temperatura de Funcionamiento Mínima

    -55 °C

    Altura

    1mm

    Tensión de diodo directa

    1.2V

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