MOSFET onsemi FDG313N, VDSS 25 V, ID 950 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple

Código RS:: 146-2123
Nº ref. fabric.:: FDG313N
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDG313N, VDSS 25 V, ID 950 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,561 €

(exc. IVA)

0,679 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,561 €	1.683,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 146-2123
Nº ref. fabric.:: FDG313N
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	950 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	SOT-363 (SC-70)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	760 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.65V
Disipación de Potencia Máxima	750 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,64 nC a 4,5 V
Longitud	2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	1.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C