Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	950 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
	Tipo de Encapsulado	SOT-363 (SC-70)
	Serie	PowerTrench
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	6
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	760 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima	0.65V
	Disipación de Potencia Máxima	750 mW
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,64 nC a 4,5 V
	Longitud	2mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Material del transistor	Si
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	1.25mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	1mm
	Tensión de diodo directa	1.2V

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 950 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V
	Tipo de Encapsulado SOT-363 (SC-70)
	Serie PowerTrench
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 6
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 760 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima 0.65V
	Disipación de Potencia Máxima 750 mW
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -8 V, +8 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 1,64 nC a 4,5 V
	Longitud 2mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Material del transistor Si
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 1.25mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 1mm
	Tensión de diodo directa 1.2V

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

MOSFET onsemi FDG313N, VDSS 25 V, ID 950 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

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