MOSFET onsemi FDG313N, VDSS 25 V, ID 950 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, config. Simple

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Código RS:
146-2123
Nº ref. fabric.:
FDG313N
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

950 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-70)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

760 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +8 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.25mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,64 nC a 4,5 V

Longitud

2mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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