MOSFET Tetrode Infineon BG3130RH6327XTSA1, VDSS 8 V, ID 25 mA, SOT-363 (SC-88) de 6 pines, , config. Simple

No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
857-8475
Nº ref. fabric.:
BG3130RH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

8 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-88)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

200 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+6 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

1.25mm

Longitud

2mm

Altura

0.8mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Ganancia de Potencia Típica

31 dB

Tetrodo MOSFET de doble enlace Infineon


Tetrodo de transistores RF MOSFET de doble enlace y bajo ruido de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Enlaces relacionados