MOSFET Tetrode Infineon BG3130RH6327XTSA1, VDSS 8 V, ID 25 mA, SOT-363 (SC-88) de 6 pines, , config. Simple

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Código RS:
857-8475
Nº ref. fabric.:
BG3130RH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

25 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

8 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-88)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

200 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+6 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

2mm

Material del transistor

Si

Ancho

1.25mm

Altura

0.8mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Ganancia de Potencia Típica

31 dB

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