MOSFET Tetrode Infineon BG3130H6327XTSA1, VDSS 8 V, ID 25 mA, SOT-363 (SC-88) de 6 pines, config. Simple

Código RS:: 857-8472
Nº ref. fabric.:: BG3130H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Tetrode Infineon BG3130H6327XTSA1, VDSS 8 V, ID 25 mA, SOT-363 (SC-88) de 6 pines, config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,098 €

(exc. IVA)

0,119 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 - 12000	0,098 €	294,00 €
15000 - 27000	0,088 €	264,00 €
30000 +	0,084 €	252,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 857-8472
Nº ref. fabric.:: BG3130H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Tetrodo MOSFET de doble enlace Infineon

Tetrodo de transistores RF MOSFET de doble enlace y bajo ruido de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	25 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	8 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363 (SC-88)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	200 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+6 V
Material del transistor	Si
Longitud	2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.25mm
Número de Elementos por Chip	1
Ganancia de Potencia Típica	31 dB
Altura	0.8mm