MOSFET onsemi FDG6332C-F085, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 (SC-70) de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
166-2275
Nº ref. fabric.:
FDG6332C-F085
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

600 mA, 700 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-70)

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

700 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +12 V

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

1.25mm

Longitud

2mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1mm

COO (País de Origen):
US

MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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