MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 7 A, ECH, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
802-0850
Nº ref. fabric.:
ECH8661-TL-H
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

ECH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

39mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.79V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.8nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.3 mm

Longitud

2.9mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor


El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.

Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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