MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 802-0850
- Nº ref. fabric.:
- ECH8661-TL-H
- Fabricante:
- onsemi
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- 802-0850
- Nº ref. fabric.:
- ECH8661-TL-H
- Fabricante:
- onsemi
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
---|---|---|
Marca | onsemi | |
Tipo de Canal | N, P | |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,5 A, 7 A | |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
Tipo de Encapsulado | ECH | |
Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
Conteo de Pines | 8 | |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 24 mΩ, 39 mΩ | |
Modo de Canal | Mejora | |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.6V | |
Disipación de Potencia Máxima | 1,3 W | |
Configuración de transistor | Aislado | |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
Material del transistor | Si | |
Ancho | 2.3mm | |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 11,8 nC a 10 V | |
Longitud | 2.9mm | |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
Número de Elementos por Chip | 2 | |
Altura | 0.9mm | |
Seleccionar todo | ||
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Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N, P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 5,5 A, 7 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado ECH | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 24 mΩ, 39 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.6V | ||
Disipación de Potencia Máxima 1,3 W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 2.3mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 11,8 nC a 10 V | ||
Longitud 2.9mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Número de Elementos por Chip 2 | ||
Altura 0.9mm | ||
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