Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, ECH de 8 pines

Código RS:: 791-9421
Nº ref. fabric.:: ECH8310-TL-H
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, ECH de 8 pines

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Código RS:: 791-9421
Nº ref. fabric.:: ECH8310-TL-H
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	ECH8310
	Encapsulado	ECH
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	17mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	28nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.9mm
	Altura	0.9mm
	Anchura	2.3 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie ECH8310
	Encapsulado ECH
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.5W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.9mm
	Altura 0.9mm
	Anchura 2.3 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi ECH8310-TL-H, VDSS 30 V, ID 9 A, Mejora, ECH de 8 pines

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MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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