MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 163-2130
Nº ref. fabric.:: ECH8661-TL-H
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 163-2130
Nº ref. fabric.:: ECH8661-TL-H
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,5 A, 7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	ECH
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	24 mΩ, 39 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.6V
Disipación de Potencia Máxima	1,3 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	2.3mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	11,8 nC a 10 V
Longitud	2.9mm
Altura	0.9mm

MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor