MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
163-1110
Nº ref. fabric.:
NTHD4102PT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

ChipFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.1mm

Longitud

3.1mm

Anchura

1.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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