MOSFET de potencia onsemi, Tipo P-Canal NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4.1 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 780-0589
- Nº ref. fabric.:
- NTHD4102PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 25 unidades)*
22,875 €
(exc. IVA)
27,675 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 28 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,915 € | 22,88 € |
| 100 - 225 | 0,789 € | 19,73 € |
| 250 + | 0,684 € | 17,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 780-0589
- Nº ref. fabric.:
- NTHD4102PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | ChipFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Tensión directa Vf | -0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado ChipFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Tensión directa Vf -0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 20 V ChipFET 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V ChipFET 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V ChipFET 2, config.
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, ChipFET de 8 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, ChipFET de 8 pines
- MOSFET de potencia onsemi VDSS 20 V MicroFET Delgado 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi Tipo P-Canal SI4532DY ID 3.9 A Mejora de 8 pines config.
- MOSFET de potencia onsemi Tipo P-Canal ID 3.9 A Mejora de 8 pines config. Aislado