Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTHS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 6.7 A, Mejora, ChipFET de 8 pines

Código RS:: 780-0595
Nº ref. fabric.:: NTHS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

Disponibilidad de stock no accesible

Código RS:: 780-0595
Nº ref. fabric.:: NTHS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	ChipFET
	Serie	NTK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	52mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.1mm
	Longitud	3.1mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado ChipFET
	Serie NTK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.1mm
	Longitud 3.1mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

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