MOSFET onsemi NTHS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 6,7 A, ChipFET de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 780-0595
Nº ref. fabric.:: NTHS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTHS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 6,7 A, ChipFET de 8 pines, , config. Simple

2950 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,342 €

(exc. IVA)

0,414 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 +	0,342 €	3,42 €

*precio indicativo

Código RS:: 780-0595
Nº ref. fabric.:: NTHS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor

Transistores MOSFET, ON Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6,7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	ChipFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	52 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 4,5 V dc
Ancho	1.7mm
Material del transistor	Si
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C