MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 6.7 A, Mejora, ChipFET de 8 pines

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Código RS:
163-1113
Nº ref. fabric.:
NTHS4101PT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

ChipFET

Serie

NTK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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