MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.8 A, ChipFET, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
818-1352
Nº ref. fabric.:
SI5935CDC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

ChipFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

156mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7 mm

Longitud

3.1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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