MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
710-3395
Nº ref. fabric.:
SI9933CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

58mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.55mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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