Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 787-9008
Nº ref. fabric.:: SI4948BEY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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5 - 45	1,652 €	8,26 €
50 - 245	1,42 €	7,10 €
250 - 495	1,154 €	5,77 €
500 - 1245	0,96 €	4,80 €
1250 +	0,876 €	4,38 €

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Código RS:: 787-9008
Nº ref. fabric.:: SI4948BEY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	150mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2.4W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14.5nC
	Tensión directa Vf	-0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2.4W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.5nC
	Tensión directa Vf -0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Aislado
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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