MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

11,34 €

(exc. IVA)

13,72 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Está siendo descatalogado
  • Disponible(s) 40 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Última(s) 3345 unidad(es) para enviar desde el 22 de mayo de 2026

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,268 €11,34 €
50 - 1201,924 €9,62 €
125 - 2451,816 €9,08 €
250 - 4951,704 €8,52 €
500 +1,586 €7,93 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
710-3345
Nº ref. fabric.:
SI4559ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

72mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Disipación de potencia máxima Pd

3.4W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados