MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
710-3345
Nº ref. fabric.:
SI4559ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

72mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.4W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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