MOSFET Vishay SI4559ADY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5,3 A, 3,9 A., SO-8 de 8 pines, 2elementos

El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una tensión de fuente de drenaje de 60V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 5,3A A y 3,9A A. Tiene una potencia nominal máxima de 3,4W W. MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad. No es aplicable en inversores CCFL.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado