MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
180-7299
Nº ref. fabric.:
SI4946BEY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.052Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.75mm

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua DE 6,5a A y una potencia nominal máxima de 3,7W W. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

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