Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 919-4195
Nº ref. fabric.:: SI4946BEY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.900,00 €

(exc. IVA)

2.300,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
2500 +	0,76 €	1.900,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 919-4195
Nº ref. fabric.:: SI4946BEY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	52mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17nC
	Disipación de potencia máxima Pd	3.7W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Altura	1.55mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 52mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC
	Disipación de potencia máxima Pd 3.7W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Configuración de transistor Aislado
	Altura 1.55mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: TW

MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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