MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
919-4195
Nº ref. fabric.:
SI4946BEY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Altura

1.55mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TW

MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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