Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 919-4202
Nº ref. fabric.:: SI4925DDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 919-4202
Nº ref. fabric.:: SI4925DDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	41mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	32nC
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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