Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4554DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 787-9238
Nº ref. fabric.:: SI4554DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4554DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

5,46 €

(exc. IVA)

6,61 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 15.300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 +	0,546 €	5,46 €

*precio indicativo

Código RS:: 787-9238
Nº ref. fabric.:: SI4554DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	34mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	13.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd	3.2W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.3nC
	Disipación de potencia máxima Pd 3.2W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4554DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Enlaces relacionados