MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
787-9020
Nº ref. fabric.:
SI4532CDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

140mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.78W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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