Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 787-9020
Nº ref. fabric.:: SI4532CDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

12,18 €

(exc. IVA)

14,74 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 4280 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 180	0,609 €	12,18 €
200 - 480	0,517 €	10,34 €
500 - 980	0,487 €	9,74 €
1000 - 1980	0,457 €	9,14 €
2000 +	0,426 €	8,52 €

*precio indicativo

Código RS:: 787-9020
Nº ref. fabric.:: SI4532CDY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	140mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.78W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6nC
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Altura	1.5mm
	Anchura	4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.78W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Altura 1.5mm
	Anchura 4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Enlaces relacionados