Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 812-3233
Nº ref. fabric.:: SI4599DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

15,80 €

(exc. IVA)

19,20 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Últimas existencias de RS

Última(s) 9520 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 180	0,79 €	15,80 €
200 - 480	0,609 €	12,18 €
500 - 980	0,514 €	10,28 €
1000 - 1980	0,474 €	9,48 €
2000 +	0,395 €	7,90 €

*precio indicativo

Código RS:: 812-3233
Nº ref. fabric.:: SI4599DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	Si4599DY
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.045Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.1W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC JS709A, RoHS
	Longitud	5mm
	Altura	1.55mm
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie Si4599DY
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.045Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.1W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares JEDEC JS709A, RoHS
	Longitud 5mm
	Altura 1.55mm
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI4599DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Enlaces relacionados