Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 165-7255
Nº ref. fabric.:: SI4599DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 165-7255
Nº ref. fabric.:: SI4599DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	Si4599DY
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.045Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Disipación de potencia máxima Pd	3.1W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC JS709A, RoHS
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Altura	1.55mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SOIC
	Serie Si4599DY
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.045Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Disipación de potencia máxima Pd 3.1W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares JEDEC JS709A, RoHS
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Altura 1.55mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 6.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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