MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-6282
Nº ref. fabric.:
SI4909DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOIC

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Altura

1.55mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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