MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-6919
Nº ref. fabric.:
SI3993CDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

188mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.2nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7 mm

Altura

1mm

Longitud

3.1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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