MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

501,00 €

(exc. IVA)

606,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,167 €501,00 €

*precio indicativo

Código RS:
165-6919
Nº ref. fabric.:
SI3993CDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

188mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.4W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.7 mm

Altura

1mm

Longitud

3.1mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados