MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 165-6919
- Nº ref. fabric.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
492,00 €
(exc. IVA)
594,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 02 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,164 € | 492,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-6919
- Nº ref. fabric.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 188mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 188mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.1mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 2,3 A - SI3993CDV-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de conmutación de canal P de montaje en superficie diseñado para aplicaciones compactas y de baja potencia. Funciona en un rango de tensión modesto y está diseñado para tareas de conmutación eficientes en las que se requiere una configuración de transistor aislado de dos elementos. El componente se suministra en un encapsulado TSOP delgado adecuado para la integración a nivel de placa en sistemas de control electrónicos.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje máxima de 30 V permite una conmutación segura de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• El bajo RDS(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite una conmutación de puerta rápida
• La disipación de potencia de 1,4 W permite un funcionamiento de ciclo de trabajo
• El diseño de elemento doble aislado permite implementaciones de canal dividido
• La corriente de drenaje continua de 2,3 A admite corrientes de carga moderadas
• El bajo RDS(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite una conmutación de puerta rápida
• La disipación de potencia de 1,4 W permite un funcionamiento de ciclo de trabajo
• El diseño de elemento doble aislado permite implementaciones de canal dividido
Aplicaciones
• Apto para el control de motores de baja tensión en módulos de automatización
• Ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza para conmutación de carga en sistemas de control integrados
• Puede utilizarse para el control de polaridad en circuitos de gestión de baterías
• Ideal para conmutación de potencia en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza para conmutación de carga en sistemas de control integrados
• Puede utilizarse para el control de polaridad en circuitos de gestión de baterías
¿Qué rango térmico se puede esperar durante el funcionamiento?
El dispositivo está diseñado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos de temperatura extendida.
¿Cómo admite el encapsulado el montaje de la placa?
El formato de montaje en superficie TSOP con seis contactos facilita la colocación y la soldadura automatizadas en placas densamente pobladas.
¿Puede la puerta manejar tensiones de control más altas?
La puerta no debe superar 20 V máximo para evitar dañar el óxido de la puerta y para mantener el rendimiento especificado.
¿Admite el dispositivo configuraciones de varios elementos en un solo chip?
Sí, contiene dos elementos por chip en una configuración aislada, lo que permite disposiciones de conmutación emparejadas sin aislamiento externo.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 30 V TSOP 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V ChipFET 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 40 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SC-88 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay VDSS 30 V TSOP-6 1, config. Simple
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal ID 4 A Mejora de 8 pines config. Doble