MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 180-7304
Nº ref. fabric.:: SI5515CDC-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 180-7304
Nº ref. fabric.:: SI5515CDC-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	3.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	7.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.65 mm
	Altura	1mm
	Longitud	3.05mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado TSOP
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 3.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.65 mm
	Altura 1mm
	Longitud 3.05mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y resistencia de fuente de drenaje de 36mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una potencia nominal máxima de 3,1W W. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 4A A. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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MOSFET Vishay

Características y ventajas

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