MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI5515CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 180-7304
- Nº ref. fabric.:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 180-7304
- Nº ref. fabric.:
- SI5515CDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.156 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.156 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.05mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y resistencia de fuente de drenaje de 36mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una potencia nominal máxima de 3,1W W. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 4A A. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
Enlaces relacionados
- MOSFET Vishay Tipo N-Canal SI5515CDC-T1-GE3 ID 4 A Mejora de 8 pines config. Doble
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 30 V TSOP 2, config.
- MOSFET Vishay Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3 ID 3.9 A Mejora de 6 pines config. Doble
- MOSFET Vishay VDSS 30 V TSOP-6 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, TSOP de 6 pines