MOSFET Vishay SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,9 A, 2,1 A, TSOP-6 de 6 pines, 2elementos

El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. El MOSFET tiene una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 3,9A A y 2,1A A. Tiene una potencia nominal máxima de 1,4W W y 1,3W W. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET

• Convertidores dc-dc
• Controladores: Motor, solenoide, relé
• Interruptor de carga para dispositivos portátiles

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado