MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.9 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 180-7911
Nº ref. fabric.:: SI3585CDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal SI3585CDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3.9 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

8,78 €

(exc. IVA)

10,62 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 2780 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 180	0,439 €	8,78 €
200 - 480	0,43 €	8,60 €
500 - 980	0,33 €	6,60 €
1000 - 1980	0,259 €	5,18 €
2000 +	0,208 €	4,16 €

*precio indicativo

Código RS:: 180-7911
Nº ref. fabric.:: SI3585CDV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	3.2nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Longitud	3.05mm
	Altura	1mm
	Anchura	1.65 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado TSOP
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.2nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Longitud 3.05mm
	Altura 1mm
	Anchura 1.65 mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. El MOSFET tiene una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 3,9A A y 2,1A A. Tiene una potencia nominal máxima de 1,4W W y 1,3W W. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones

• convertidores dc/dc

• Controladores: Motor, solenoide, relé

• Interruptor de carga para dispositivos portátiles

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado