MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 3.9 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 180-7282
- Nº ref. fabric.:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7282
- Nº ref. fabric.:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. El MOSFET tiene una resistencia de fuente de drenaje de 58mohm mA con una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene corrientes de drenaje continuo de 3,9A A y 2,1A A. Tiene una potencia nominal máxima de 1,4W W y 1,3W W. Se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• convertidores dc/dc
• Controladores: Motor, solenoide, relé
• Interruptor de carga para dispositivos portátiles
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
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