MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:
134-9155
Nº ref. fabric.:
SI3493DDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

51mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.7mm

Longitud

3.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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