MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 812-3189
- Nº ref. fabric.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,426 € | 8,52 € |
| 200 - 480 | 0,315 € | 6,30 € |
| 500 - 980 | 0,265 € | 5,30 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 812-3189
- Nº ref. fabric.:
- SI3993CDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 188mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 188mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.7mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia de la serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 30 V, corriente de drenaje continua de 2,3 A - SI3993CDV-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal P de montaje en superficie diseñado para funciones de conmutación y gestión de carga en conjuntos electrónicos compactos. Proporciona una configuración de transistor aislado en un encapsulado TSOP de perfil bajo y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente moderado y un accionamiento de puerta controlado en un entorno de tensión de 30 V.
Características y ventajas:
• El modo de mejora del canal P permite una conmutación sencilla del lado alto
• La corriente de drenaje continua de pico de 2,3 A admite cargas moderadas
• La baja Rds(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia máxima de 1,4 W gestiona la carga térmica en placas pequeñas
• El encapsulado de montaje en superficie de seis contactos permite una colocación de PCB compacta
• La corriente de drenaje continua de pico de 2,3 A admite cargas moderadas
• La baja Rds(on) de 188 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 5,2 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia máxima de 1,4 W gestiona la carga térmica en placas pequeñas
• El encapsulado de montaje en superficie de seis contactos permite una colocación de PCB compacta
Aplicaciones
• Apto para circuitos de conmutación de lado alto alimentados por batería
• Ideal para desconexión de carga de DC y bloqueo de corriente inversa
• Se utiliza con módulos de gestión de potencia en dispositivos de consumo
• Se puede utilizar para el control de puerta con desplazamiento de nivel en conjuntos compactos
• Ideal para desconexión de carga de DC y bloqueo de corriente inversa
• Se utiliza con módulos de gestión de potencia en dispositivos de consumo
• Se puede utilizar para el control de puerta con desplazamiento de nivel en conjuntos compactos
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta debo tener en cuenta?
El dispositivo acepta hasta ±20 V entre la puerta y la fuente, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben mantener Vgs dentro de ese rango para evitar la tensión de puerta.
¿Qué tolerancia tiene a temperaturas extremas durante el funcionamiento?
Funciona en un amplio rango de temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos con variaciones térmicas severas.
¿Cuántos elementos de transistor incluye la matriz y cuál es el número de contactos del encapsulado?
El chip integra dos elementos y el encapsulado presenta seis pines para conexiones de placa.
¿Cuál es la tensión máxima de drenaje-fuente y cómo influye eso en el diseño del circuito?
El MOSFET tiene un valor nominal de 30 V entre el drenaje y la fuente, por lo que debe utilizarse donde los carriles de alimentación y las condiciones transitorias permanezcan por debajo de ese umbral.
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