MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI3993CDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

9,38 €

(exc. IVA)

11,34 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1560 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 - 1800,469 €9,38 €
200 - 4800,346 €6,92 €
500 - 9800,291 €5,82 €
1000 - 19800,258 €5,16 €
2000 +0,234 €4,68 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
812-3189
Nº ref. fabric.:
SI3993CDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

188mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.2nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Anchura

1.7 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados