MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI5515CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, TSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
180-7787
Nº ref. fabric.:
SI5515CDC-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.65 mm

Altura

1mm

Longitud

3.05mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal doble de montaje superficial Vishay (tanto canales P como N) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V y resistencia de fuente de drenaje de 36mohm mA a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Tiene una potencia nominal máxima de 3,1W W. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 4A A. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado

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