MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 818-1302
- Nº ref. fabric.:
- SI4909DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
19,82 €
(exc. IVA)
23,98 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4520 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,991 € | 19,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 818-1302
- Nº ref. fabric.:
- SI4909DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 40 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 30 V TSOP 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V ChipFET 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 30 V SOIC 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 20 V SC-88 2, config.
- MOSFET Vishay VDSS 60 V SOIC 2, config. Aislado