Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

Código RS:: 818-1302
Nº ref. fabric.:: SI4909DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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100 - 180	0,736 €	14,72 €
200 - 480	0,624 €	12,48 €
500 - 980	0,58 €	11,60 €
1000 +	0,555 €	11,10 €

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Código RS:: 818-1302
Nº ref. fabric.:: SI4909DY-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	34mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	41.5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.2W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Altura	1.55mm
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SOIC
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41.5nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.2W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Altura 1.55mm
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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