Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.

Código RS:: 812-3108
Nº ref. fabric.:: SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:: 812-3108
Nº ref. fabric.:: SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SC-88
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	790mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2.6nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1.25W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Altura	1mm
	Longitud	2.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SC-88
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 790mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1.25W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Altura 1mm
	Longitud 2.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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