MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.

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Código RS:
812-3108
Nº ref. fabric.:
SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-88

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

790mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Anchura

1.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Longitud

2.2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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