MOSFET Vishay SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,1 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 812-3108
Nº ref. fabric.:: SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,1 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

1700 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio unitario (Suministrado en Tiras de 50)

0,31 €

(exc. IVA)

0,38 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
50 - 200	0,31 €	15,50 €
250 - 450	0,232 €	11,60 €
500 - 1200	0,217 €	10,85 €
1250 - 2450	0,186 €	9,30 €
2500 +	0,161 €	8,05 €
*precio indicativo

Código RS:: 812-3108
Nº ref. fabric.:: SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	790 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Longitud	2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2,6 nC a 8 V
Ancho	1.35mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Código RS:: 812-3108
Nº ref. fabric.:: SI1967DH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1,1 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

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